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型号 SI4564DY-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
SI4564DY-T1-GE3 PDF
代理商 SI4564DY-T1-GE3
标准包装 2,500
系列 TrenchFET®
FET 型 N 和 P 沟道
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 10A，9.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 17.5 毫欧 @ 8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 31nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 855pF @ 20V
功率 - 最大 3.1W，3.2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SOICN
包装 带卷 (TR)
其它名称 SI4564DY-T1-GE3TR
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